STB11NM60N-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB11NM60N-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB11NM60N-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB11NM60N-1 даташит

 ..1. Size:632K  st
stb11nm60n-1 std11nm60n-1 std11nm60n stf11nm60n stf11nm60n stp11nm60n.pdfpdf_icon

STB11NM60N-1

STx11NM60N N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) 3 Type ID 3 2 3 (@TJmax) max 1 2 1 1 STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 A DPAK TO-220 IPAK STB11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N-1 650 V 0.45 10 A STF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1) STP11NM60N 650 V 0.45

 4.1. Size:632K  st
stp11nm60n stb11nm60n std11nm60n stf11nm60n.pdfpdf_icon

STB11NM60N-1

STx11NM60N N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) 3 Type ID 3 2 3 (@TJmax) max 1 2 1 1 STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 A DPAK TO-220 IPAK STB11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N-1 650 V 0.45 10 A STF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1) STP11NM60N 650 V 0.45

 4.2. Size:635K  st
stp11nm60n stf11nm60n std11nm60n stb11nm60n.pdfpdf_icon

STB11NM60N-1

STx11NM60N N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) 3 Type ID 3 2 3 (@TJmax) max 1 2 1 1 STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 A DPAK TO-220 IPAK STB11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N 650 V 0.45 10 A STD11NM60N-1 650 V 0.45 10 A STF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1) STP11NM60N 650 V 0.45

 5.1. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STB11NM60N-1

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Другие IGBT... STB10NK60Z-1, STB10NK60ZT4, STB11N65M5, STB11NK40ZT4, STB11NK50ZT4, STB11NM60-1, STB11NM60FD-1, STB11NM60FDT4, IRFB31N20D, STB11NM60T4, STB11NM80T4, STB120N10F4, STB120NF10T4, STB120NH03L, STB12NK80ZT4, STB12NM50-1, STB12NM50FDT4