Справочник MOSFET. IXFK44N50

 

IXFK44N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK44N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK44N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 ..2. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFK44N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 0.1. Size:296K  ixys
 ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdf pdf_icon

IXFK44N50

IXFH 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 44N50P ID25 = 44 APower MOSFETIXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 0.2. Size:126K  ixys
 ixfx44n50f ixfk44n50f.pdf pdf_icon

IXFK44N50

HiPerRFTM VDSS = 500VIXFK44N50FID25 = 44APower MOSFETsIXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class: MegaHertz Switchingtrr 250nsSingle MOSFET DieTO-264 (IXFK)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrGDTabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK32N50Q , IXFK32N60 , IXFK33N50 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IRLB4132 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 .

History: PJP5NA80 | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | NTDV5804N | OSG65R340FZF | OSG55R108KZF | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.