IXFK44N50 - описание и поиск аналогов

 

IXFK44N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFK44N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXFK44N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK44N50 даташит

 ..1. Size:162K  ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdfpdf_icon

IXFK44N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 ..2. Size:108K  ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdfpdf_icon

IXFK44N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 0.1. Size:296K  ixys
ixfh44n50p ixfk44n50p ixft44n50p.pdfpdf_icon

IXFK44N50

IXFH 44N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFK 44N50P ID25 = 44 A Power MOSFET IXFT 44N50P RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 500

 0.2. Size:126K  ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdfpdf_icon

IXFK44N50

HiPerRFTM VDSS = 500V IXFK44N50F ID25 = 44A Power MOSFETs IXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class MegaHertz Switching trr 250ns Single MOSFET Die TO-264 (IXFK) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C

Другие MOSFET... IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK32N50Q , IXFK32N60 , IXFK33N50 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IRFP260 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 .

History: FDB12N50TM | IXFK26N90 | 6N90

 

 

 

 

↑ Back to Top
.