Справочник MOSFET. STB13N80K5

 

STB13N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB13N80K5
   Маркировка: 13N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB13N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB13N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1760K  st
stb13n80k5 stf13n80k5 stp13n80k5 stw13n80k5.pdfpdf_icon

STB13N80K5

STB13N80K5, STF13N80K5, STP13N80K5, STW13N80K5N-channel 800 V, 0.37 typ., 12 A SuperMESH 5 PowerMOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) ID PTOT31STB13N80K5 190 W3D2PAK21STF13N80K5 35 WTO-220FP800 V 0.45 12 ATABSTP13N80K5190 WSTW13N80K5 Worldwide best FOM (figur

 8.1. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdfpdf_icon

STB13N80K5

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V

 8.2. Size:491K  st
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdfpdf_icon

STB13N80K5

STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V

 8.3. Size:1154K  st
stb13nm60n std13nm60n.pdfpdf_icon

STB13N80K5

STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications

Другие MOSFET... STB12NM50-1 , STB12NM50FDT4 , STB12NM50T4 , STB12NM60N , STB12NM60N-1 , STB130NS04ZB-1 , STB130NS04ZBT4 , STB13N60M2 , HY1906P , STB13NM50N , STB13NM50N-1 , STB140NF55-1 , STB140NF55T4 , STB140NF75-1 , STB140NF75T4 , STB141NF55-1 , STB14NK50Z-1 .

History: NCE70N290T

 

 
Back to Top

 


 
.