STB20NM50-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB20NM50-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB20NM50-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM50-1 даташит

 ..1. Size:313K  st
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdfpdf_icon

STB20NM50-1

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

 ..2. Size:315K  st
stb20nm50 stb20nm50-1 stp20nm50 stp20nm50fp.pdfpdf_icon

STB20NM50-1

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

 5.1. Size:401K  st
stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdfpdf_icon

STB20NM50-1

STB20NM50FD STF20NM50FD - STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg ID max STB20NM50FD 500 V

 5.2. Size:396K  st
stb20nm50fdt4.pdfpdf_icon

STB20NM50-1

STB20NM50FD STF20NM50FD - STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg ID max STB20NM50FD 500 V

Другие IGBT... STB200NF04-1, STB200NF04L, STB200NF04L-1, STB200NF04T4, STB20N65M5, STB20N95K5, STB20NK50ZT4, STB20NM50, IRLB4132, STB20NM50FDT4, STB20NM50T4, STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N, STB21NM50N-1, STB21NM60N