Справочник MOSFET. STB30NF10T4

 

STB30NF10T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB30NF10T4
   Маркировка: B30NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB30NF10T4

 

 

STB30NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  st
stb30nf10t4 stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STB30NF10STP30NF10 - STP30NF10FPN-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100V

 5.1. Size:455K  st
stb30nf10.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STB30NF10STP30NF10 STP30NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100 V

 5.2. Size:502K  st
stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STB30NF10STP30NF10 - STP30NF10FPN-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB30NF10 100V

 7.1. Size:386K  st
stp30nf20 stb30nf20 stw30nf20.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 7.2. Size:847K  st
stb30nf20l.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STB30NF20LN-channel 200 V, 0.065 , 30 A STripFET Power MOSFET in D2PAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID PTOTSTB30NF20L 200 V 0.075 30 A 150 WTAB Gate charge minimized 100% avalanche tested3 Excellent figure of merit (RDS* Qg)1 Very good manufacturing repeatabilityDPAK Very low intrinsic capacitanceApp

 7.3. Size:393K  st
stp30nf20 stw30nf20 stb30nf20.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 7.4. Size:355K  inchange semiconductor
stb30nf20.pdf

STB30NF10T4 STB30NF10T4

isc N-Channel MOSFET Transistor STB30NF20FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top