Справочник MOSFET. STB31N65M5

 

STB31N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB31N65M5
   Маркировка: 31N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 45 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.148 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB31N65M5

 

 

STB31N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1126K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5 STB31N65M5

STB31N65M5, STF31N65M5STP31N65M5, STW31N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO220FP, TO220 and TO-247 packagesFeaturesTABVDS @ TJMAX RDS(on ) max. IDOrder code Package3132STB31N65M5D2PAKD PAK 21TO-220FPSTF31N65M5 TO-220FPTAB710 V 0.148 22 ASTP31N65M5 TO-220STW31N65M5 TO-247332TO-220 2TO-24

 ..2. Size:1658K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5 STB31N65M5

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
stb31n65m5.pdf

STB31N65M5 STB31N65M5

Isc N-Channel MOSFET Transistor STB31N65M5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 9.1. Size:135K  samhop
stb31l01.pdf

STB31N65M5 STB31N65M5

GrerrPPrPrProSTB31L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 26A 49 @ VGS=10VTO-263 Package.STB SERIESTO-263(DD-PAK)(TC=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top