STB40NS15T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB40NS15T4
Маркировка: B40NF15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 380 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB40NS15T4
STB40NS15T4 Datasheet (PDF)
stb40ns15t4.pdf
STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V
stb40ns15.pdf
STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V
stb40nf10l.pdf
STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf
STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V
stb40nf10t4.pdf
STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V
stb40nf10lt4.pdf
STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V
stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf
STP40N20 - STF40N20STB40N20 - STW40N20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PW3STB40N20 200V
stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf
STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous
stb40ne03l.pdf
STB40NE03L-20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID TYPICAL R = 0.014 DS(on) EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITYo LOW GATE CHARGE A 100 C APPLICATION ORIENTEDCHARACTERIZATION31 FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACTSALES OFFICED2PAKDESCRIPTIONTO-263This Power MOSFET is the latest development of(suffix T4)SG
stb40nf10.pdf
STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V
stb40nf20 stf40nf20 stp40nf20 stw40nf20.pdf
STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .