STB45NF06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB45NF06T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB45NF06T4
STB45NF06T4 Datasheet (PDF)
stb45nf06t4 stb45nf06 stp45nf06.pdf
STB45NF06STP45NF06N-channel 60 V, 0.023 , 38 A TO-220, D2PAKSTripFETTM II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP45NF06 60 V
stb45nf06.pdf
STB45NF06N-CHANNEL 60V - 0.022 - 38A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB45NF06 60V
stp45nf3ll stb45nf3ll.pdf
STP45NF3LL - STP45NF3LLFPSTB45NF3LLN-channel 30V - 0.014 - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID33STB45NF3LL 30V
stb45n65m5 stf45n65m5 stp45n65m5.pdf
STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID31STB45N65M532D2PAK1STF45N65M5 710 V 0.078 35 ATO-220FPSTP45N65M5TAB Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt capa
stb45n65m5 stf45n65m5 stp45n65m5 stw45n65m5.pdf
STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 STW45N65M5N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeatures TAB2VDSS @ RDS(on) 3Order code ID1TJmax max32D2PAK1STB45N65M5TO-220FPTABSTF45N65M5710 V
stb45n30m5.pdf
STB45N30M5DatasheetN-channel 300 V, 53 A, 0.037 typ., MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB45N30M5 300 V 0.040 53 A23 Extremely low RDS(on)1 Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceDPAK 100% avalanche testedD(2, TAB)Applications Switching applicationsG(1
stb45n65m5.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STB45N65M5FEATURESDrain Current : I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 78m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918