IXFK90N20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK90N20Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 190 nC
Время нарастания (tr): 31 ns
Выходная емкость (Cd): 1620 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK90N20Q
IXFK90N20Q Datasheet (PDF)
ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf
HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 VIXFK 90N20Q ID25 = 90 APower MOSFETs RDS(on) = 22 mQ-CLASSSingle MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trrPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150
ixfk90n20 ixfn100n20 ixfn106n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t
ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf
Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFK90N60XPower MOSFET ID25 = 90AIXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VSVGSS
ixfx90n30 ixfk90n30.pdf
IXFX 90N30 VDSS = 300 VHiPerFETTMIXFK 90N30 ID25 = 90 APower MOSFETsRDS(on) = 33 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capabi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
