STB80NF55L-08 - аналоги, параметры транзистора

STB80NF55L-08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NF55L-08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80NF55L-08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB80NF55L-08 даташит

..1. Size:195K st
stb80nf55l-08.pdf pdf_icon

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A 3 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065 2 1 D2PAK LOW THRESHOLD DRIVE TO-220 LOGIC LEVEL DEVICE 3 2 1 I2PAK DESC

..2. Size:195K st
stp80nf55l-08 stb80nf55l-08 stb80nf55l-08-1.pdf pdf_icon