STB8NM60T4 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STB8NM60T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB8NM60T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB8NM60T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB8NM60T4 даташит

..1. Size:554K st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

6.1. Size:698K st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

6.2. Size:559K st
stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf pdf_icon

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

6.3. Size:746K st
stb8nm60d stp8nm60d.pdf pdf_icon