Справочник MOSFET. IRFS634B

 

IRFS634B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFS634B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для IRFS634B

 

 

IRFS634B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  fairchild semi
 irfs634b.pdf

IRFS634B IRFS634B

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:859K  fairchild semi
 irf634b irfs634b.pdf

IRFS634B IRFS634B

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf

IRFS634B IRFS634B

 7.2. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf

IRFS634B IRFS634B

 7.3. Size:505K  samsung
 irfs634a.pdf

IRFS634B IRFS634B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.45 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 0.327 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top