IRFS634B - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS634B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS634B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IRFS634B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS634B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  fairchild semi
 irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634B

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:859K  fairchild semi
 irf634b irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634B

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS634B

 7.2. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS634B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS4620PBF , IRFS4710 , IRFS4710PBF , IRFS52N15DPBF , IRFS5615PBF , IRFS5620PBF , IRFS59N10DPBF , IRFS614B , IRFP450 , IRFS640B , IRFS644B , IRFS654B , IRFS730B , IRFS740B , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , IRFS7434PBF .

History: GSM2014

 

 
Back to Top

 


 
.