IRFS640B - описание и поиск аналогов

 

IRFS640B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS640B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IRFS640B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS640B даташит

 ..1. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640B

 ..2. Size:922K  fairchild semi
 irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640B

 7.1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS640B

 7.2. Size:508K  samsung
 irfs640a.pdf pdf_icon

IRFS640B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.144 (Typ. ) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS4710 , IRFS4710PBF , IRFS52N15DPBF , IRFS5615PBF , IRFS5620PBF , IRFS59N10DPBF , IRFS614B , IRFS634B , BS170 , IRFS644B , IRFS654B , IRFS730B , IRFS740B , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , IRFS7434PBF , IRFS7434-7PPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.