IRFS640B - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS640B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS640B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IRFS640B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS640B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640B

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:922K  fairchild semi
 irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640B

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS640B

 7.2. Size:508K  samsung
 irfs640a.pdf pdf_icon

IRFS640B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ. )1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS4710 , IRFS4710PBF , IRFS52N15DPBF , IRFS5615PBF , IRFS5620PBF , IRFS59N10DPBF , IRFS614B , IRFS634B , CS150N03A8 , IRFS644B , IRFS654B , IRFS730B , IRFS740B , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , IRFS7434PBF , IRFS7434-7PPBF .

History: RU190N10S | SQJ410EP | AUIRFBA1405 | 1N65L-TF3-T | CS5N65U | SI6913DQ

 

 
Back to Top

 


 
.