IRFS730B - описание и поиск аналогов

 

IRFS730B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS730B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IRFS730B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS730B даташит

 ..1. Size:904K  fairchild semi
 irfs730b.pdf pdf_icon

IRFS730B

 7.1. Size:286K  1
 irfs730 irfs731.pdf pdf_icon

IRFS730B

 7.2. Size:309K  1
 irfs730 irfs731 irfs732 irfs733.pdf pdf_icon

IRFS730B

 7.3. Size:506K  samsung
 irfs730a.pdf pdf_icon

IRFS730B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.765 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS5615PBF , IRFS5620PBF , IRFS59N10DPBF , IRFS614B , IRFS634B , IRFS640B , IRFS644B , IRFS654B , IRF1407 , IRFS740B , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , IRFS7434PBF , IRFS7434-7PPBF , IRFS7437-7PPBF , IRFS7437PBF , IRFS7440PBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.