IRFS740B - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS740B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS740B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IRFS740B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS740B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  fairchild semi
 irf740b irfs740b.pdf pdf_icon

IRFS740B

November 2001IRF740B/IRFS740B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:304K  1
 irfs740 irfs741 irfs742 irfs743.pdf pdf_icon

IRFS740B

 7.2. Size:276K  1
 irfs740 irfs741.pdf pdf_icon

IRFS740B

 7.3. Size:931K  samsung
 irfs740a.pdf pdf_icon

IRFS740B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS5620PBF , IRFS59N10DPBF , IRFS614B , IRFS634B , IRFS640B , IRFS644B , IRFS654B , IRFS730B , 2SK3568 , IRFS7430-7PPBF , IRFS7430PBF , IRFS7434PBF , IRFS7434-7PPBF , IRFS7437-7PPBF , IRFS7437PBF , IRFS7440PBF , IRFS7530-7PPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.