IRFS9N60APBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFS9N60APBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFS9N60APBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFS9N60APBF даташит
irfs9n60apbf.pdf
PD - 95538 SMPS MOSFET IRFS9N60APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2A l High Speed Power Switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness G D S l Fully Characterized Capacitance an
irfs9n60a.pdf
PD - 95538 SMPS MOSFET IRFS9N60APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2A l High Speed Power Switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness G D S l Fully Characterized Capacitance an
irfs9n60a sihfs9n60a.pdf
IRFS9N60A, SiHFS9N60A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600 requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49 ruggedness Qgs (nC) 13 Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20 voltage and curr
irfs9n60a.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFS9N60A FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) =0.75 (MAX) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU
Другие MOSFET... IRFS7730PBF , IRFS7730-7PPBF , IRFS7734PBF , IRFS7734-7PPBF , IRFS7762PBF , IRFS7787PBF , IRFS820B , IRFS840B , IRFZ46N , IRFSL11N50APBF , IRFSL17N20D , IRFSL17N20DPBF , IRFSL23N15D , IRFSL23N15DPBF , IRFSL3004PBF , IRFSL3006PBF , IRFSL3107PBF .
History: TPC8209
History: TPC8209
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56



