Справочник MOSFET. IRFSL31N20DPBF

 

IRFSL31N20DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSL31N20DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IRFSL31N20DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSL31N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFSL31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 2.1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dp irfsl31n20dp.pdf pdf_icon

IRFSL31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 3.1. Size:256K  inchange semiconductor
 irfsl31n20d.pdf pdf_icon

IRFSL31N20DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL31N20DFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

 7.1. Size:371K  international rectifier
 irfs3107pbf irfsl3107pbf.pdf pdf_icon

IRFSL31N20DPBF

PD -97144AIRFS3107PbFIRFSL3107PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS75Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.2.5m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 3.0m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)230A cID (Package Limited)195A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dyn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSL11N50APBF , IRFSL17N20D , IRFSL17N20DPBF , IRFSL23N15D , IRFSL23N15DPBF , IRFSL3004PBF , IRFSL3006PBF , IRFSL3107PBF , 2N7002 , IRFSL3206PBF , IRFSL3207 , IRFSL3207ZPBF , IRFSL3306PBF , IRFSL3307ZPBF , IRFSL3607PBF , IRFSL3806PBF , IRFSL38N20DPBF .

History: RW1C025ZP | RJK2017DPP | SL2308 | QM3009K | AP62T03GH | APT60M80L2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.