Справочник MOSFET. IRFSL38N20DPBF

 

IRFSL38N20DPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFSL38N20DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IRFSL38N20DPBF

 

 

IRFSL38N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  international rectifier
 irfsl38n20dpbf.pdf

IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF

PD - 97001APROVISIONALIRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbFSMPS MOSFET IRFSL38N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High frequency DC-DC converters Key Parametersl Plasma Display PanelVDS200 Vl Lead-FreeVDS (Avalanche) min.260 VRDS(ON) max @ 10V m54BenefitsTJ max175 Cl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance Inc

 ..2. Size:583K  infineon
 irfb38n20dpbf irfs38n20dpbf irfsl38n20dpbf.pdf

IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF

IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Key Parameters Applications High frequency DC-DC converters VDS 200 V Plasma Display Panel VDS(Avalanche) min. 260 VRDS(on) max @ 10V 54 mBenefits TJ max 175 C Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS D D D

 3.1. Size:256K  inchange semiconductor
 irfsl38n20d.pdf

IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS38N20DFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 2

 7.1. Size:564K  international rectifier
 irfb3806pbf irfs3806pbf irfsl3806pbf.pdf

IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF

PD - 97310IRFB3806PbFIRFS3806PbFApplicationsIRFSL3806PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power SwitchingDVDSS60Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ. 12.6mGmax. 15.8mBenefitsID 43ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully C

 7.2. Size:564K  infineon
 irfb3806pbf irfs3806pbf irfsl3806pbf.pdf

IRFSL38N20DPBF IRFSL38N20DPBF

PD - 97310IRFB3806PbFIRFS3806PbFApplicationsIRFSL3806PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power SwitchingDVDSS60Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ. 12.6mGmax. 15.8mBenefitsID 43ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top