IRFU3518PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFU3518PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IRFU3518PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFU3518PBF даташит
irfr3518pbf irfu3518pbf.pdf
PD - 95510A IRFR3518PbF IRFU3518PbF HEXFET Power MOSFET Applications l High frequency DC-DC converters VDSS RDS(on) max ID l Lead-Free 80V 29mW 30A Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage D-Pak I-Pak and Current
irfu3518.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3518 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdf
PD - 95511B IRFR3505PbF IRFU3505PbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013 G Lead-Free ID = 30A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resis
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdf
PD - 95521B IRFR3504ZPbF IRFU3504ZPbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re
Другие MOSFET... IRFU2607ZPBF , IRFU2905ZPBF , IRFU310PBF , IRFU320PBF , IRFU3410PBF , IRFU3412PBF , IRFU3418PBF , IRFU3505PBF , STF13NM60N , IRFU3607PBF , IRFU3704 , IRFU3704PBF , IRFU3704ZPBF , IRFU3706 , IRFU3706PBF , IRFU3707 , IRFU3707ZPBF .
History: ELM51401FA | IRF7313QPBF | BRFL13N50 | 4N65KG-TMS4-T | SUN0460I2 | SUN0465I2 | SUN0460D
History: ELM51401FA | IRF7313QPBF | BRFL13N50 | 4N65KG-TMS4-T | SUN0460I2 | SUN0465I2 | SUN0460D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b




