Справочник MOSFET. IRFU430APBF

 

IRFU430APBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFU430APBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для IRFU430APBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU430APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  international rectifier
irfr430apbf irfu430apbf.pdfpdf_icon

IRFU430APBF

PD -95076ASMPS MOSFETIRFR430APbFIRFU430APbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power SupplyVDSS RDS(on) max IDl High speed power switching500V 1.7 5.0Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance

 ..2. Size:252K  vishay
irfr430a irfr430apbf irfu430apbf sihfr430a sihfu430a.pdfpdf_icon

IRFU430APBF

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQg (Max.) (nC) 24dV/dt RuggednessQgs (nC) 6.5 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 13Avalanche Voltage and Current

 5.1. Size:879K  cn vbsemi
irfu430ap.pdfpdf_icon

IRFU430APBF

IRFU430APwww.VBsemi.twN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650RequirementRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0COMPLIANT Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Complia

 6.1. Size:154K  vishay
irfr430a irfu430a sihfr430a sihfu430a.pdfpdf_icon

IRFU430APBF

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 24COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 6.5Qgd (nC) 13 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

Другие MOSFET... IRFU3910PBF , IRFU3911PBF , IRFU4104PBF , IRFU4105PBF , IRFU4105ZPBF , IRFU420APBF , IRFU420B , IRFU420PBF , AO3407 , IRFU4510PBF , IRFU4615PBF , IRFU4620PBF , IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 .

History: L2N60D | UPA1820GR | PZD502CYB | AOB266L | TPCA8010-H | STP10NK70ZFP

 

 
Back to Top

 


 
.