IRFU430APBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFU430APBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IRFU430APBF
IRFU430APBF Datasheet (PDF)
irfr430apbf irfu430apbf.pdf

PD -95076ASMPS MOSFETIRFR430APbFIRFU430APbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power SupplyVDSS RDS(on) max IDl High speed power switching500V 1.7 5.0Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance
irfr430a irfr430apbf irfu430apbf sihfr430a sihfu430a.pdf

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQg (Max.) (nC) 24dV/dt RuggednessQgs (nC) 6.5 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 13Avalanche Voltage and Current
irfu430ap.pdf

IRFU430APwww.VBsemi.twN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650RequirementRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0COMPLIANT Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Complia
irfr430a irfu430a sihfr430a sihfu430a.pdf

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 24COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 6.5Qgd (nC) 13 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Другие MOSFET... IRFU3910PBF , IRFU3911PBF , IRFU4104PBF , IRFU4105PBF , IRFU4105ZPBF , IRFU420APBF , IRFU420B , IRFU420PBF , AO3407 , IRFU4510PBF , IRFU4615PBF , IRFU4620PBF , IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 .
History: L2N60D | UPA1820GR | PZD502CYB | AOB266L | TPCA8010-H | STP10NK70ZFP
History: L2N60D | UPA1820GR | PZD502CYB | AOB266L | TPCA8010-H | STP10NK70ZFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526