STC4614 - аналоги и даташиты транзистора

 

STC4614 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STC4614
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для STC4614

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC4614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1529K  stansontech
 stc4614.pdf pdf_icon

STC4614

STC4614 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 10.0A / -10.0A DESCRIPTION The STC4614 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

 9.1. Size:888K  stansontech
 stc4606.pdf pdf_icon

STC4614

STC4606 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 6.0A / -6.0A DESCRIPTION The STC4606 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

Другие MOSFET... IRFU4620PBF , IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 , STC4567 , STC4606 , IRF540N , STC6332 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG .

History: PSMN0R9-25YLC | SI5403DC | VBP1104N | AON6926 | CPH3324 | SI4992EY | SI5402BDC

 

 
Back to Top

 


 
.