STC6602 - описание и поиск аналогов

 

STC6602. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC6602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для STC6602

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6602 даташит

 ..1. Size:867K  stansontech
 stc6602.pdf pdf_icon

STC6602

STC6602 Dual N&P Channel Enhancement Mode MOSFET 2.8A/-2.8A DESCRIPTION The STC6602 is the dual N&P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, such as not

 9.1. Size:1176K  stansontech
 stc6614.pdf pdf_icon

STC6602

STC6614 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 7.0A / -5.0A DESCRIPTION The STC6614 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

Другие MOSFET... IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 , STC4567 , STC4606 , STC4614 , STC6332 , IRFP460 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 , STD10NF10-1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.