Справочник MOSFET. STD10P6F6

 

STD10P6F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD10P6F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD10P6F6

 

 

STD10P6F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  st
 std10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdf

STD10P6F6 STD10P6F6

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID3STD10P6F613STF10P6F62DPAK-60 V 0.16 -10 A 1STP10P6F6TO-220FPSTU10P6F6TABTAB Very low on-resistance3 Very low gate char

 ..2. Size:1525K  st
 std10p6f6 stf10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdf

STD10P6F6 STD10P6F6

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 10 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID31STD10P6F632DPAKSTF10P6F6160 V 0.16 10 A TO-220FPSTP10P6F6TABSTU10P6F6TAB RDS(on) * Qg industry benchmark32

 8.1. Size:196K  st
 std10pf06-1 std10pf06t4.pdf

STD10P6F6 STD10P6F6

STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V

 8.2. Size:295K  st
 std10pf06.pdf

STD10P6F6 STD10P6F6

STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V

 8.3. Size:870K  cn vbsemi
 std10pf06t4.pdf

STD10P6F6 STD10P6F6

STD10PF06T4www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top