STD15NF10T4 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STD15NF10T4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD15NF10T4 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: DPAK

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для STD15NF10T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STD15NF10T4 даташит

..1. Size:329K st
std15nf10t4.pdf pdf_icon

STD15NF10 N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features VDSSS RDS(on) max ID Type STD15NF10 100 V

..2. Size:208K inchange semiconductor
std15nf10t4.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STD15NF10T4 FEATURES With To-252(DPAK) package Application oriented characterization Excellent switching performance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

5.1. Size:331K st
std15nf10.pdf pdf_icon