STD1HNC60T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD1HNC60T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD1HNC60T4
STD1HNC60T4 Datasheet (PDF)
std1hnc60t4.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
std1hnc60.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf
STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918