STD1HNC60T4 - аналоги и даташиты транзистора

 

STD1HNC60T4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STD1HNC60T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD1HNC60T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD1HNC60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  st
 std1hnc60t4.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V

 5.1. Size:268K  st
 std1hnc60.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V

 8.1. Size:1441K  st
 std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

Другие MOSFET... STD16NF06L-1 , STD16NF06LT4 , STD16NF06T4 , STD17NF03L-1 , STD17NF03LT4 , STD18N65M5 , STD19NF20 , STD1HN60K3 , IRFP450 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 , STD22NM20NT4 .

History: 2SJ410 | AOND62930

 

 
Back to Top

 


 
.