STD1HNC60T4 - описание и поиск аналогов

 

STD1HNC60T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD1HNC60T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD1HNC60T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD1HNC60T4 даташит

 ..1. Size:190K  st
 std1hnc60t4.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HNC60 N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1HNC60 600 V

 5.1. Size:268K  st
 std1hnc60.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HNC60 N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1HNC60 600 V

 8.1. Size:1441K  st
 std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf pdf_icon

STD1HNC60T4

STD1HN60K3, STU1HN60K3 N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order codes VDS max ID PTOT STD1HN60K3 TAB TAB 600 V 8 1.2 A 27 W STU1HN60K3 3 3 1 2 1 100% avalanche tested DPAK IPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

Другие MOSFET... STD16NF06L-1 , STD16NF06LT4 , STD16NF06T4 , STD17NF03L-1 , STD17NF03LT4 , STD18N65M5 , STD19NF20 , STD1HN60K3 , AO4407 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 , STD22NM20NT4 .

History: 2SK4227JS | 2SK443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.