STD1HNC60T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD1HNC60T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD1HNC60T4
STD1HNC60T4 Datasheet (PDF)
std1hnc60t4.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
std1hnc60.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf
STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD