STD26P3LLH6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD26P3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD26P3LLH6
STD26P3LLH6 Datasheet (PDF)
std26p3llh6.pdf
STD26P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTTABSTD26P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 RDS(on) * Qg industry benchmarkDPAK Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resis
std26nf10.pdf
STD26NF10N-channel 100V - 0.033 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD26NF10 100V
Другие MOSFET... STD22NM20NT4 , STD24N06L , STD24N06LT4G , STD25N10F7 , STD25NF10L , STD25NF10LT4 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , IRFZ24N , STD28P3LLH6 , STD2955T4G , STD2LN60K3 , STD2N105K5 , STD2N80K5 , STD2N95K5 , STD2NK70Z-1 , STD2NK70ZT4 .
History: FQB19N20 | IRFR3708TR | STD2NK90ZT4
History: FQB19N20 | IRFR3708TR | STD2NK90ZT4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468



