Справочник MOSFET. STD2N80K5

 

STD2N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1626K  st
std2n80k5 stf2n80k5 stp2n80k5 stu2n80k5.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2N80K5, STF2N80K5, STP2N80K5, STU2N80K5N-channel 800 V, 3.5 typ., 2 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD2N80K5 45 WDPAK3 STF2N80K5 20 W2800 V 4.5 2 A1STP2N80K5TAB45 WTO-220FPSTU2N80K5TAB TO-220 worldwide best RDS

 7.1. Size:47K  st
std2n80-.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2NB80-1N - CHANNEL 800V - 4.6 - 1.9A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD2NB80-1 800V

 9.1. Size:407K  1
std2na60 std2na60-1 std2na60t4.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NA60 600 V

 9.2. Size:174K  1
std2n50 std2n50-1 std2n50t4.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD2N50 500 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDFMJ2P023Z | SQJ460AEP | HSSK6303 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.