Справочник MOSFET. STD2N80K5

 

STD2N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD2N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1626K  st
std2n80k5 stf2n80k5 stp2n80k5 stu2n80k5.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2N80K5, STF2N80K5, STP2N80K5, STU2N80K5N-channel 800 V, 3.5 typ., 2 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD2N80K5 45 WDPAK3 STF2N80K5 20 W2800 V 4.5 2 A1STP2N80K5TAB45 WTO-220FPSTU2N80K5TAB TO-220 worldwide best RDS

 7.1. Size:47K  st
std2n80-.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2NB80-1N - CHANNEL 800V - 4.6 - 1.9A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD2NB80-1 800V

 9.1. Size:407K  1
std2na60 std2na60-1 std2na60t4.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NA60 600 V

 9.2. Size:174K  1
std2n50 std2n50-1 std2n50t4.pdfpdf_icon

STD2N80K5

STD2N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD2N50 500 V

Другие MOSFET... STD25NF10LT4 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , STD26P3LLH6 , STD28P3LLH6 , STD2955T4G , STD2LN60K3 , STD2N105K5 , RU6888R , STD2N95K5 , STD2NK70Z-1 , STD2NK70ZT4 , STD2NK90ZT4 , STD2NM60T4 , STD30N10F7 , STD30NE06LT4 , STD30NF03L-1 .

History: STP12NM50 | AFP3407S | 2SK1011 | DMP25H18DLFDE | 2SK880BL | CJ3400-HF | IRF3808

 

 
Back to Top

 


 
.