STD4NS25T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD4NS25T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD4NS25T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4NS25T4 даташит

 ..1. Size:191K  st
std4ns25t4.pdfpdf_icon

STD4NS25T4

STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD4NS25 250 V

 6.1. Size:278K  st
std4ns25.pdfpdf_icon

STD4NS25T4

STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD4NS25 250 V

 9.1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4NS25T4

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4NS25T4

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

Другие IGBT... STD45N10F7, STD45NF75T4, STD46P4LLF6, STD4N80K5, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, 2N7000, STD50NH02L-1, STD50NH02LT4, STD52P3LLH6, STD5406N, STD5406NT4G, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4