STD50NH02L-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD50NH02L-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STD50NH02L-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD50NH02L-1 даташит

 ..1. Size:533K  st
 std50nh02l-1 std50nh02lt4.pdf pdf_icon

STD50NH02L-1

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

 ..2. Size:538K  st
 std50nh02l std50nh02l-1.pdf pdf_icon

STD50NH02L-1

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

 4.1. Size:534K  st
 std50nh02l.pdf pdf_icon

STD50NH02L-1

STD50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD50NH02L 24 V

 8.1. Size:340K  st
 std50n03l std50n03l-1.pdf pdf_icon

STD50NH02L-1

STD50N03L STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50N03L 30V 10.5m 40A STD50N03L-1 30V 10.5m 40A 3 3 2 RDS(on)*Qg industry s benchmark 1 1 Conduction losses reduced DPAK IPAK Switching losses reduced Low threshold device Description This product utilizes the latest advan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD45NF75T4, STD46P4LLF6, STD4N80K5, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, P55NF06, STD50NH02LT4, STD52P3LLH6, STD5406N, STD5406NT4G, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4, STD5N20LT4