STD5406NT4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD5406NT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD5406NT4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD5406NT4G даташит

 ..1. Size:136K  onsemi
 ntd5406ng std5406nt4g.pdf pdf_icon

STD5406NT4G

NTD5406N, STD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5406N ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 8.7 m @ 10 V 70 A Applications Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-

 6.1. Size:97K  onsemi
 std5406n.pdf pdf_icon

STD5406NT4G

NTD5406N, STD5406N Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge ID MAX STD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable* 40 V 8.7 m @ 10 V 70 A These Devices a

 8.1. Size:135K  onsemi
 ntd5407ng std5407nt4g.pdf pdf_icon

STD5406NT4G

NTD5407N, STD5407N Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge AEC Q101 Qualified - STD5407N ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 21 mW @ 10 V 38 A Applications Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Ch

 8.2. Size:96K  onsemi
 std5407n.pdf pdf_icon

STD5406NT4G

NTD5407N, STD5407N Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Low Gate Charge ID MAX STD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 21 mW @ 10 V 38 A Qualified and PPAP Capable* These Devices ar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, STD50NH02L-1, STD50NH02LT4, STD52P3LLH6, STD5406N, IRF630, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4, STD5N20LT4, STD5N60M2, STD5N95K5, STD5NK40Z-1, STD5NK40ZT4