Справочник MOSFET. STD7N80K5

 

STD7N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD7N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD7N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:995K  st
std7n80k5 stp7n80k5 stu7n80k5.pdfpdf_icon

STD7N80K5

STD7N80K5, STP7N80K5, STU7N80K5N-channel 800 V, 0.95 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT2 31STD7N80K5DPAKSTP7N80K5 800 V 1.2 6 A 110 WTABSTU7N80K5TAB Worldwide best FOM (figure of merit)3 Ultra low gate charge2312

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
std7n80k5.pdfpdf_icon

STD7N80K5

isc N-Channel MOSFET Transistor STD7N80K5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.2100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 800 VDSSV Gate-Source Voltage 30 V

 9.1. Size:1059K  st
std7n65m2.pdfpdf_icon

STD7N80K5

STD7N65M2N-channel 650 V, 0.98 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max IDTABSTD7N65M2 650 V 1.15 5 A3 Extremely low gate charge1 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche testedDPAK Zener-protectedApplications Switching applicationsFigure 1. Inte

 9.2. Size:596K  st
std7nm60n stf7nm60n stu7nm60n.pdfpdf_icon

STD7N80K5

STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages FeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD7NM60N DPAKSTF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FPSTU7NM60N IPAKD(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceG(1)Applications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.