STD7NM50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD7NM50N
Маркировка: D7NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD7NM50N Datasheet (PDF)
std7nm50n std7nm50n-1 stf7nm50n stp7nm50n.pdf
STD7NM50N - STD7NM50N-1STF7NM50N - STP7NM50NN-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)213STD7NM50N 550V
std7nm50n-1 std7nm50n stf7nm50n stp7nm50n.pdf
STD7NM50N - STD7NM50N-1STF7NM50N - STP7NM50NN-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)213STD7NM50N 550V
std7nm60n stf7nm60n stu7nm60n.pdf
STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages FeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD7NM60N DPAKSTF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FPSTU7NM60N IPAKD(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceG(1)Applications
std7nm64n.pdf
STD7NM64NN-channel 640 V, 5 A, 0.88 typ., MDmesh II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. IDSTD7NM64N 640 V 1.05 5 A TAB 100% avalanche tested3 Low input capacitance and gate charge1 Low gate input resistanceDPAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic
std7nm60n stf7nm60n stp7nm60n stu7nm60n.pdf
STD7NM60N, STF7NM60NSTP7NM60N, STU7NM60NN-channel 600 V, 5 A, 0.76 , DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAKsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes ID3TJmax max.2 3211STD7NM60NTO-220IPAKSTF7NM60N650 V
std7nm80 std7nm80-1 stf7nm80 stp7nm80.pdf
STD7NM80, STD7NM80-1STF7NM80, STP7NM80N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD7NM80 800 V
std7nm80-1 std7nm80 stf7nm80 stp7nm80.pdf
STD7NM80, STD7NM80-1STF7NM80, STP7NM80N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD7NM80 800 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STE339S
History: STE339S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918