Справочник MOSFET. STD9N40M2

 

STD9N40M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD9N40M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9N40M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  st
std9n40m2.pdfpdf_icon

STD9N40M2

STD9N40M2N-channel 400 V, 0.59 typ., 6 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTD9N40M2 450 V 0.8 6 ATAB Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation1 Low gate input resistanceDPAK 100% avalanche tested Zener-protectedApplica

 9.1. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STD9N40M2

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 9.2. Size:383K  st
std9n10.pdfpdf_icon

STD9N40M2

STD9N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD9N10 100 V

 9.3. Size:66K  st
std9n10l.pdfpdf_icon

STD9N40M2

STD9N10LN - CHANNEL 100V - 0.22 - 9A IPAK/DPAK POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD9N10L 100 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD8N10LT4 | 2SK1637 | 2SK1471 | AP4604IN | STD14NM50N | IRL8113LPBF | IRLSZ34A

 

 
Back to Top

 


 
.