STD9N40M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD9N40M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD9N40M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9N40M2 даташит

 ..1. Size:841K  st
 std9n40m2.pdf pdf_icon

STD9N40M2

STD9N40M2 N-channel 400 V, 0.59 typ., 6 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STD9N40M2 450 V 0.8 6 A TAB Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 Low gate input resistance DPAK 100% avalanche tested Zener-protected Applica

 9.1. Size:896K  st
 std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STD9N40M2

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.2. Size:383K  st
 std9n10.pdf pdf_icon

STD9N40M2

STD9N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD9N10 100 V

 9.3. Size:66K  st
 std9n10l.pdf pdf_icon

STD9N40M2

STD9N10L N - CHANNEL 100V - 0.22 - 9A IPAK/DPAK POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD9N10L 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD8NM60N-1, STD90N02L, STD90N02L-1, STD90NH02LT4, STD95N04, STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, IRF830, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, STD9NM50N-1, STE139N65M5, STE145N65M5, STE88N65M5, STF100N10F7