Справочник MOSFET. IXFN25N90

 

IXFN25N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXFN25N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 240 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

Аналог (замена) для IXFN25N90

 

IXFN25N90 Datasheet (PDF)

1.1. ixfn26n90 ixfn25n90.pdf Size:141K _ixys

IXFN25N90
IXFN25N90

VDSS ID (cont) RDS(on) trr HiPerFETTM Power MOSFETs 900 V 26 A 0.30 W 250 ns IXFN 26N90 Single Die MOSFET IXFN 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 ns N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G Preliminary data sheet S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25C to 150C 900 V S VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 90

3.1. ixfk25n80 ixfk27n80 ixfn25n80 ixfn27n80.pdf Size:162K _ixys

IXFN25N90
IXFN25N90

Not for New Designs VDSS ID25 RDS(on) ? IXFK 27N80 800 V 27 A 0.30 ? ? ? HiPerFETTM Power MOSFETs ? ? IXFK 25N80 800 V 25 A 0.35 ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr ? IXFN 27N80 800 V 27 A 0.30 ? ? ? ? ? IXFN 25N80 800 V 25 A 0.35 ? ? ? ? TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25C to 150C 800 800

3.2. ixfk27n80 ixfn27n80 ixfk25n80 ixfn25n80.pdf Size:151K _ixys

IXFN25N90
IXFN25N90

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode IXFK 27N80 800 V 27 A 0.30 W Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr IXFK 25N80 800 V 25 A 0.35 W IXFN 27N80 800 V 27 A 0.30 W IXFN 25N80 800 V 25 A 0.35 W Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 800 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 800 800 V VGS Continuo

Другие MOSFET... IXFN150N15 , IXFN170N10 , IXFN180N07 , IXFN180N10 , IXFN180N20 , IXFN200N07 , IXFN230N10 , IXFN24N100 , 2SK105 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 , IXFN340N07 , IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 .

 

 
Back to Top