IRFU5410PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU5410PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU5410PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU5410PBF даташит

 ..1. Size:267K  international rectifier
 irfr5410pbf irfu5410pbf.pdf pdf_icon

IRFU5410PBF

PD -95314A IRFR5410PbF IRFU5410PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR5410) l Straight Lead (IRFU5410) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.205 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -13A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tech

 6.1. Size:246K  inchange semiconductor
 irfu5410.pdf pdf_icon

IRFU5410PBF

isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU5410 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 205m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION 175 C operating junction temperature ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage -100

 8.1. Size:353K  international rectifier
 irfr540zpbf irfu540zpbf.pdf pdf_icon

IRFU5410PBF

PD - 96141B IRFR540ZPbF Features IRFU540ZPbF l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l 175 C Operating Temperature D l Fast Switching VDSS = 100V l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free l Halogen-Free RDS(on) = 28.5m G Description ID = 35A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achiev

 8.2. Size:371K  international rectifier
 irfu540z.pdf pdf_icon

IRFU5410PBF

APPROVED PD - TBD AUTOMOTIVE MOSFET IRFR540Z IRFU540Z Features lAdvanced Process Technology HEXFET Power MOSFET lUltra Low On-Resistance D l175 C Operating Temperature VDSS = 100V lFast Switching lRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 28.5m G Description ID = 35A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFET utilizes the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STF110N10F7, STF11N50M2, STF11N65M2, STF11N65M5, STF11NM60N, STF11NM65N, IRFU540Z, IRFU540ZPBF, 50N06, IRFU5505PBF, IRFU6215PBF, IRFU9010PBF, IRFU9014PBF, IRFU9020PBF, IRFU9024NPBF, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF