IRFY140M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFY140M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 145 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFY140M Datasheet (PDF)
irfy140m.pdf

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
irfy140c.pdf

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy140.pdf

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
irfy140cm.pdf

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: VS8205BH | IRFZ34EPBF | SIHFIBC40G | IPA60R460CE | 2SK3591 | SM2302 | 18P10E
History: VS8205BH | IRFZ34EPBF | SIHFIBC40G | IPA60R460CE | 2SK3591 | SM2302 | 18P10E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet