IRFY430M - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFY430M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFY430M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AB
 

 Аналог (замена) для IRFY430M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFY430M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  semelab
 irfy430m.pdf pdf_icon

IRFY430M

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFY430 / IRFY430M BVDSS = 500V, MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-257AB Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 500V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C

 7.1. Size:169K  international rectifier
 irfy430c.pdf pdf_icon

IRFY430M

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

 7.2. Size:167K  international rectifier
 irfy430cm.pdf pdf_icon

IRFY430M

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

 7.3. Size:168K  international rectifier
 irfy430.pdf pdf_icon

IRFY430M

PD - 94191IRFY430,IRFY430MPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430 1.5 4.5A GlassIRFY430M 1.5 4.5A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-stat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFY320C , IRFY330 , IRFY330C , IRFY340CM , IRFY340M , IRFY420 , IRFY420C , IRFY430CM , IRLB4132 , IRFY440CM , IRFY440-T257 , IRFY540 , IRFY9130CM , IRFY9130M , IRFY9140CM , IRFY9140M , IRFY9140X .

History: SFG10R05KF | CJA03N10-HF

 

 
Back to Top

 


 
.