IRFY9240M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFY9240M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
IRFY9240M Datasheet (PDF)
irfy9240m.pdf
PD - 94199IRFY9240,IRFY9240MPOWER MOSFET200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Rds(on) Id EyeletsIRFY9240 0.51 -9.4A GlassIRFY9240M 0.51 -9.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo
irfy9240c.pdf
PD - 91295BIRFY9240C,IRFY9240CMPOWER MOSFET200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Rds(on) Id EyeletsIRFY9240C 0.51 -9.4A CeramicIRFY9240CM 0.51 -9.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieve
irfy9240cm.pdf
PD - 91295BIRFY9240C,IRFY9240CMPOWER MOSFET200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Rds(on) Id EyeletsIRFY9240C 0.51 -9.4A CeramicIRFY9240CM 0.51 -9.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieve
irfy9240.pdf
PD - 94199IRFY9240,IRFY9240MPOWER MOSFET200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Rds(on) Id EyeletsIRFY9240 0.51 -9.4A GlassIRFY9240M 0.51 -9.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918