Справочник MOSFET. IRFZ24NSPBF

 

IRFZ24NSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFZ24NSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IRFZ24NSPBF

 

 

IRFZ24NSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  international rectifier
 irfz24nspbf.pdf

IRFZ24NSPBF IRFZ24NSPBF

PD - 95147IRFZ24NS/LPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ24NS)DVDSS = 55V Low-profile through-hole (IRFZ24NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.07 Fast SwitchingG Fully Avalanche Rated Lead-Free ID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 irfz24nspbf.pdf

IRFZ24NSPBF IRFZ24NSPBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ24NSPbFFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingSurface mountHigh speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

 6.1. Size:159K  international rectifier
 irfz24ns.pdf

IRFZ24NSPBF IRFZ24NSPBF

PD - 9.1355BIRFZ24NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRFZ24NS) Low-profile through-hole (IRFZ24NL) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.07 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low

 6.2. Size:641K  infineon
 auirfz24ns auirfz24nl.pdf

IRFZ24NSPBF IRFZ24NSPBF

AUIRFZ24NS AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ24NL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS 55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature RDS(on) max. 0.07 Fast Switching Fully Avalanche Rated ID 17A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D

 6.3. Size:2064K  cn vbsemi
 irfz24ns.pdf

IRFZ24NSPBF IRFZ24NSPBF

IRFZ24NSwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.023 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel0.027 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Dire

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top