IRFZ44ESPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFZ44ESPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFZ44ESPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ44ESPBF даташит

 ..1. Size:234K  international rectifier
 irfz44espbf irfz44elpbf.pdf pdf_icon

IRFZ44ESPBF

PD - 95572 IRFZ44ESPbF IRFZ44ELPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRFZ44ES) D VDSS = 60V l Low-profile through-hole (IRFZ44EL) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.023 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 48A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec

 ..2. Size:234K  international rectifier
 irfz44espbf.pdf pdf_icon

IRFZ44ESPBF

PD - 95572 IRFZ44ESPbF IRFZ44ELPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRFZ44ES) D VDSS = 60V l Low-profile through-hole (IRFZ44EL) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.023 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 48A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec

 6.1. Size:163K  international rectifier
 irfz44es irfz44el.pdf pdf_icon

IRFZ44ESPBF

PD - 9.1714 IRFZ44ES/L PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.023 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 48A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 6.2. Size:1792K  cn vbsemi
 irfz44es.pdf pdf_icon

IRFZ44ESPBF

IRFZ44ES www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.023 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.027 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Dire

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFZ34L, IRFZ34NLPBF, IRFZ34NPBF, IRFZ34NSPBF, IRFZ34PBF, IRFZ34S, IRFZ40PBF, IRFZ44EPBF, IRFB31N20D, IRFZ44L, IRFZ44NLPBF, IRFZ44NPBF, IRFZ44NSPBF, IRFZ44PBF, IRFZ44R, IRFZ44RPBF, IRFZ44S