IRFZ48ZSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFZ48ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFZ48ZSPBF
IRFZ48ZSPBF Datasheet (PDF)
irfz48zlpbf irfz48zpbf irfz48zspbf.pdf
PD - 95574AIRFZ48ZPbFIRFZ48ZSPbFIRFZ48ZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 11m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 61ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques
auirfz48zstrl.pdf
PD - 97612AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ48ZAUIRFZ48ZSFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed upRDS(on) max.11mGto Tjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantID61ASl Automotive Qualified *DescriptionSpecifically designed for Automot
auirfz48z auirfz48zs.pdf
PD - 97612AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ48ZAUIRFZ48ZSFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed upRDS(on) max.11mGto Tjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantID61ASl Automotive Qualified *DescriptionSpecifically designed for Automot
irfz48zs.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ48ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918