IRHF57214SE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHF57214SE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO-39

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRHF57214SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHF57214SE даташит

 ..1. Size:216K  international rectifier
 irhf57214se.pdf pdf_icon

IRHF57214SE

PD-97063A RADIATION HARDENED IRHF57214SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57214SE 100K Rads (Si) 1.55 2.2A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features for Single

 7.1. Size:187K  international rectifier
 irhf57234se.pdf pdf_icon

IRHF57214SE

PD-93831B RADIATION HARDENED IRHF57234SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57234SE 100K Rads (Si) 0.42 5.2A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features for Single

 7.2. Size:127K  international rectifier
 irhf57230se.pdf pdf_icon

IRHF57214SE

PD - 93857A RADIATION HARDENED IRHF57230SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230SE 100K Rads (Si) 0.24 7.0A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized for Si

 7.3. Size:129K  international rectifier
 irhf57230.pdf pdf_icon

IRHF57214SE

PD - 93788A RADIATION HARDENED IRHF57230 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230 100K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF53230 300K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF54230 600K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF58230 1000K Rads (Si) 0.275 7.3A TO-39 International Rectifier s R5TM technology provides

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFZ48RPBF, IRFZ48RS, IRFZ48RSPBF, IRFZ48S, IRFZ48VSPBF, IRFZ48ZLPBF, IRFZ48ZPBF, IRFZ48ZSPBF, IRF630, IRHF57230, IRHF57234SE, IRHF597110, IRHF597130, IRHF597230, IRHF67230, IRHF7110, STF12N120K5