STF57N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF57N65M5
Маркировка: 57N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STF57N65M5
STF57N65M5 Datasheet (PDF)
stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf
STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 5LN01SP
History: 5LN01SP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918