Справочник MOSFET. STF80N10F7

 

STF80N10F7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF80N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для STF80N10F7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF80N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1361K  st
 std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf pdf_icon

STF80N10F7

STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3Order codes ID PTOTTJmax max1DPAK 3STD80N10F7 0.01 70 A 85 W21TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W100 VTABTAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A

Другие MOSFET... STF6N80K5 , STF6NK50Z , STF6NM60N , STF7N105K5 , STF7N60M2 , STF7N65M2 , STF7N80K5 , STF7NM50N , P55NF06 , STF8N80K5 , STF8NK85Z , STF8NM60N , STF9HN65M2 , STF9N60M2 , STF9N65M2 , STF9NK80Z , STF9NM50N .

History: HGB070N15S | 7NM70L-TF3-T | 2SK2824 | SSM2314GN | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.