Справочник MOSFET. STF8NK85Z

 

STF8NK85Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF8NK85Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для STF8NK85Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF8NK85Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  st
stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdfpdf_icon

STF8NK85Z

STP8NK85ZSTF8NK85ZN-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FPZener - protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NK85Z 850 V

 ..2. Size:337K  st
stp8nk85z stf8nk85z 2.pdfpdf_icon

STF8NK85Z

STP8NK85ZSTF8NK85ZN-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FPZener - protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NK85Z 850 V

 8.1. Size:299K  st
stf8nk100z stp8nk100z.pdfpdf_icon

STF8NK85Z

STF8NK100ZSTP8NK100ZN-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FPZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) ID PwTypeSTF8NK100Z 1000 V

 9.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STF8NK85Z

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

Другие MOSFET... STF6NM60N , STF7N105K5 , STF7N60M2 , STF7N65M2 , STF7N80K5 , STF7NM50N , STF80N10F7 , STF8N80K5 , IRFB4110 , STF8NM60N , STF9HN65M2 , STF9N60M2 , STF9N65M2 , STF9NK80Z , STF9NM50N , STFI10N62K3 , STFI10N65K3 .

History: CE3512K2 | 6N80G-TA3-T | TPCC8066-H | 2SK4067I | 2SK701 | SWK028P04VT | PH3230S

 

 
Back to Top

 


 
.