STF8NK85Z datasheet, аналоги, параметры транзистора

STF8NK85Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STF8NK85Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 850 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STF8NK85Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STF8NK85Z даташит

..1. Size:338K st
stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf pdf_icon

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

..2. Size:337K st
stp8nk85z stf8nk85z 2.pdf pdf_icon

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

8.1. Size:299K st
stf8nk100z stp8nk100z.pdf pdf_icon

STF8NK100Z STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Pw Type STF8NK100Z 1000 V

9.1. Size:698K st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V