Справочник MOSFET. STF9HN65M2

 

STF9HN65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF9HN65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для STF9HN65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF9HN65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  st
 stf9hn65m2.pdf pdf_icon

STF9HN65M2

STF9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-220FP Switching appli

Другие MOSFET... STF7N60M2 , STF7N65M2 , STF7N80K5 , STF7NM50N , STF80N10F7 , STF8N80K5 , STF8NK85Z , STF8NM60N , IRF9540 , STF9N60M2 , STF9N65M2 , STF9NK80Z , STF9NM50N , STFI10N62K3 , STFI10N65K3 , STFI11N65M2 , STFI12N60M2 .

History: FHF5N65B | TW2203FL-Y | 2SK3117 | CEP16N10 | 2SK2827-01 | HTS280C03 | 2SK1573

 

 
Back to Top

 


 
.