STF9HN65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STF9HN65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STF9HN65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF9HN65M2 даташит

 ..1. Size:431K  st
 stf9hn65m2.pdf pdf_icon

STF9HN65M2

STF9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STF9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1 Applications TO-220FP Switching appli

Другие IGBT... STF7N60M2, STF7N65M2, STF7N80K5, STF7NM50N, STF80N10F7, STF8N80K5, STF8NK85Z, STF8NM60N, 2N7000, STF9N60M2, STF9N65M2, STF9NK80Z, STF9NM50N, STFI10N62K3, STFI10N65K3, STFI11N65M2, STFI12N60M2