Справочник MOSFET. STFW2N105K5

 

STFW2N105K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFW2N105K5
   Маркировка: 2N105K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STFW2N105K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  st
 stfw2n105k5.pdf pdf_icon

STFW2N105K5

STFW2N105K5N-channel 1050 V, 6 typ., 1.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a TO-3PF packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTFW2N105K5 1050 V 8 1.5 A 30 W111 Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge3 100% avalanche tested21 Zener-protectedTO-3PFApplications Switching

 9.1. Size:1364K  st
 stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf pdf_icon

STFW2N105K5

STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.