Справочник MOSFET. STFW2N105K5

 

STFW2N105K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STFW2N105K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для STFW2N105K5

 

 

STFW2N105K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  st
 stfw2n105k5.pdf

STFW2N105K5 STFW2N105K5

STFW2N105K5N-channel 1050 V, 6 typ., 1.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a TO-3PF packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTFW2N105K5 1050 V 8 1.5 A 30 W111 Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge3 100% avalanche tested21 Zener-protectedTO-3PFApplications Switching

 9.1. Size:1364K  st
 stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf

STFW2N105K5 STFW2N105K5

STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top