Справочник MOSFET. STFW40N60M2

 

STFW40N60M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STFW40N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для STFW40N60M2

 

 

STFW40N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  st
 stf40n60m2 stfi40n60m2 stfw40n60m2.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

STF40N60M2, STFI40N60M2, STFW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF40N60M2STFI40N60M2 650 V 0.088 34 A321 STFW40N60M2123TO-220FPI2PAKFP (TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

 9.1. Size:756K  st
 stfw4n150 stp4n150 stw4n150.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

STFW4N150STP4N150, STW4N150N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTFW4N150 1500 V

 9.2. Size:1268K  st
 stfw45n65m5 stwa45n65m5.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig

 9.3. Size:1268K  st
 stfw45n65m5 stw45n65m5 stwa45n65m5.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig

 9.4. Size:291K  inchange semiconductor
 stfw4n150.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

isc N-Channel MOSFET Transistor STFW4N150FEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R

 9.5. Size:264K  inchange semiconductor
 stfw45n65m5.pdf

STFW40N60M2 STFW40N60M2

Isc N-Channel MOSFET Transistor STFW45N65M5FEATURESWith To-3PML packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top