Справочник MOSFET. STH15NB50FI

 

STH15NB50FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH15NB50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для STH15NB50FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH15NB50FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V

 8.1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

 8.2. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V

 9.1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , STH110N10F7-6 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , STH150N10F7-2 , 2N60 , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 , STH185N10F3-6 , STH240N10F7-2 .

History: FDMC86265P | IRF7752 | TK10A80W | SMK630F | WMJ12N100C2 | AO4400

 

 
Back to Top

 


 
.