Справочник MOSFET. STH15NB50FI

 

STH15NB50FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH15NB50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STH15NB50FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V

 8.1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

 8.2. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V

 9.1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CP650 | WM02N08L | WMAA2N100D1

 

 
Back to Top

 


 
.