STH15NB50FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH15NB50FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH15NB50FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH15NB50FI даташит

 ..1. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STW15NB50 STH15NB50FI N-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW15NB50 500 V

 8.1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

 8.2. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH15NA50 500 V

 9.1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH15NB50FI

STH150N10F7-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 3 1 High avalanche ruggedness 2 H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STFW45N65M5, STFW69N65M5, STH110N10F7-2, STH110N10F7-6, STH12N120K5-2, STH130N10F3-2, STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, 20N50, STH160N4LF6-2, STH170N8F7-2, STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG, STH180N10F3-6, STH185N10F3-2, STH185N10F3-6, STH240N10F7-2