Справочник MOSFET. IXFR24N100

 

IXFR24N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR24N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFR24N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR24N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  ixys
 ixfr24n100.pdf pdf_icon

IXFR24N100

HiPerFETTM Power VDSS = 1000VIXFR24N100ID25 = 22AMOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TMt 250ns(Electrically Isolated Back Surface)rrN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Co

 0.1. Size:141K  ixys
 ixfr24n100q3.pdf pdf_icon

IXFR24N100

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFR24N100Q3Power MOSFET ID25 = 18A Q3-Class RDS(on) 490m trr 300ns(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, R

 7.1. Size:94K  ixys
 ixfr24n80p.pdf pdf_icon

IXFR24N100

IXFR 24N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 13 APower MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RG

 7.2. Size:33K  ixys
 ixfr24n50 ixfr26n50.pdf pdf_icon

IXFR24N100

Advanced Technical InformationVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 WISOPLUS247TMIXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W(Electrically Isolated Back Surface)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN90N30 , IXFR10N100Q , IXFR120N20 , IXFR12N100Q , IXFR15N80Q , IXFR180N07 , IXFR180N085 , IXFR180N10 , IRFB4227 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IXFR55N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.